MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 3.9 A, P, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
214-4353
Referência do fabricante:
IPA80R1K4CEXKSA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-220

Serie

CoolMOS CE

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

P

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

31W

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.68mm

Altura

4.85mm

Anchura

16.15mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon CoolMOSE CE utiliza una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión. La capacidad de alta tensión combina seguridad con rendimiento y resistencia para permitir diseños estables con el nivel de eficiencia más alto.

Cumple con RoHS

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