MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 40 A, N, PQFN de 8 pines

Código RS:: 214-4344
Referência do fabricante:: BSZ110N08NS5ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 40 A, N, PQFN de 8 pines

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Código RS:: 214-4344
Referência do fabricante:: BSZ110N08NS5ATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	40A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Encapsulado	PQFN
	Serie	OptiMOS 5
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	11mΩ
	Modo de canal	N
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	15nC
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	50W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	3.4mm
	Longitud	3.4mm
	Altura	1.1mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 40A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Encapsulado PQFN
	Serie OptiMOS 5
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11mΩ
	Modo de canal N
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 50W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 3.4mm
	Longitud 3.4mm
	Altura 1.1mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - BSZ110N08NS5ATMA1

MOSFET de la serie OptiMOS 5 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 80 V, corriente de drenaje continua máxima de 40 A - BSZ110N08NS5ATMA1

Este MOSFET es un dispositivo semiconductor de canal N de alta potencia diseñado para conmutación de potencia y conversión de montaje en superficie en entornos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para tareas industriales y proporciona un manejo de corriente robusto con baja caída de tensión para admitir etapas de potencia eficientes y diseños térmicos compactos.

Características y ventajas:

• La tensión de drenaje de 80 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La baja Rds(on) de 11 mΩ reduce las pérdidas por conducción a altas corrientes
• La corriente de drenaje continua de 40 A admite un funcionamiento de carga pesada
• Carga de puerta típica de 15 nC para una conmutación de puerta rápida y eficiente
• La disipación de potencia de 50 W permite un manejo térmico significativo
• La tensión directa de 1,2 V minimiza las pérdidas por conducción del diodo

Aplicaciones

• Adecuado para convertidores reductores síncronos en fuentes de alimentación
• Ideal para etapas de accionamiento de motor de alta corriente
• Se utiliza con módulos de conversión dc-dc en equipos de telecomunicaciones
• Puede utilizarse para sistemas de gestión de baterías y carga
• Adecuado para circuitos de controlador de LED de alta potencia

¿Qué formato de montaje es necesario para el montaje de la placa?

Se suministra en un encapsulado PQFN diseñado para colocación de montaje en superficie que requiere un patrón de tierra de PCB plano y vias térmicas para la transferencia de calor.

¿Cómo gestiona el dispositivo los extremos térmicos durante el funcionamiento?

Está diseñado para funcionar a temperaturas de unión de –55 a 150 °C, lo que permite su uso en perfiles de temperatura industriales exigentes.

¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se recomiendan?

La tensión nominal máxima de puerta a fuente es de 20 V y la carga de puerta total típica es de 15 nC, por lo que se recomienda un accionamiento capaz de carga/descarga rápida con el control de derivación adecuado.

¿Qué característica de conducción afecta al diseño térmico de PCB?

Su baja resistencia de drenaje a fuente de 11 mΩ dicta pérdidas I2R más bajas, cambiando el énfasis a la gestión de conmutación y vías de disipación térmica de encapsulado.