MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 12.5 A, PQFN

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Código RS:
217-2639
Referência do fabricante:
IRL80HS120
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

HEXFET

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

42mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

11.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1 mm

Longitud

2.1mm

Altura

2.1mm

Estándar de automoción

No

Infineon está disponible en tres clases de tensión diferentes (60V, 80V y 100V), los nuevos MOSFET de potencia de nivel lógico de Infineon son muy adecuados para aplicaciones de carga inalámbrica, telecomunicaciones y adaptador. El encapsulado PQFN 2x2 es especialmente adecuado para aplicaciones críticas de factor de forma y conmutación de alta velocidad. Permite una mayor densidad de potencia y eficiencia mejorada, así como un ahorro de espacio significativo.

FOM más bajo (R DS(on) x Q g/gd)

Q g, C oss y Q rr optimizados para una conmutación rápida

Compatibilidad de nivel lógico

Encapsulado PQFN 2x2mm pequeño

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