MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 12.5 A, PQFN de 6 pines

Código RS:: 217-2639
Referência do fabricante:: IRL80HS120
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 12.5 A, PQFN de 6 pines

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Código RS:: 217-2639
Referência do fabricante:: IRL80HS120
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	12.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Encapsulado	PQFN
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	42mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	11.5W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	7nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	2.1mm
	Anchura	1mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	2.1mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 12.5A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Encapsulado PQFN
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 42mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 11.5W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 2.1mm
	Anchura 1mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 2.1mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - IRL80HS120

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 80 V, corriente de drenaje continua máxima de 12,5 A - IRL80HS120

Este MOSFET es un transistor de conmutación de canal N compacto diseñado para aplicaciones de potencia de montaje en superficie en las que se requiere conducción controlada y resistencia térmica. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para su uso en encapsulados PQFN compactos que equilibran la manipulación de potencia con un tamaño pequeño.

Características y ventajas:

• La tensión máxima de drenaje-fuente de 80 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La Rds(on) de 42 mΩ minimiza las pérdidas por conducción durante cargas pesadas
• La corriente de drenaje continua de 12,5 A admite un suministro de corriente sostenido
• La carga de puerta típica de 7 nC permite un control eficiente de la unidad de puerta
• La disipación de potencia máxima de 11,5 W gestiona el estrés térmico en configuraciones restringidas
• El límite de fuente de puerta de 20 V permite tensiones de accionamiento de puerta comunes de manera segura

Aplicaciones

• Apto para convertidores dc-dc en fuentes de alimentación compactas
• Ideal para etapas de accionamiento de motores que requieren conmutación de alta tensión
• Se utiliza para circuitos de gestión de baterías en diseños de alta densidad de potencia
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en carriles de alimentación
• Se utiliza con sistemas térmicamente exigentes en amplios rangos de temperatura

¿En qué rango térmico puede funcionar?

Funciona desde -55 °C hasta 175 °C, lo que permite su uso en entornos de alta temperatura.

¿Cuántos contactos están disponibles para el enrutamiento de PCB?

Se suministra en una disposición PQFN de seis contactos para simplificar el enrutamiento de montaje en superficie.

¿Qué es la tensión directa y sus implicaciones?

La tensión directa es de 1,2 V, lo que informa los cálculos de pérdida y caída en vías de conducción.

¿Qué tipo de encapsulado y estilo de montaje deben esperar los diseñadores?

El dispositivo se suministra en un encapsulado PQFN diseñado para montaje en superficie en PCB compactas.

¿Qué tipo de canal y función de conmutación cumple?

Se trata de un dispositivo de canal N adecuado para topologías de conmutación de lado bajo o lado alto en función de los requisitos del circuito.