MOSFET, N-Canal Infineon ISZ0602NLSATMA1, VDSS 80 V, ID 64 A, PQFN de 8 pines

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Código RS:
232-6769
Referência do fabricante:
ISZ0602NLSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

64A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

PQFN

Serie

OptiMOS 5

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.9mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

60W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.1mm

Longitud

3.4mm

Altura

3.4mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 80 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Su encapsulado PQFN 3.3x3.3 ofrece una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.

Disponibilidad de nivel lógico

Excelente comportamiento térmico

100 % a prueba de avalancha

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