MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 123 A, Mejora, SO-8 de 4 pines
- Código RS:
- 210-5046
- Referência do fabricante:
- SQJ152ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 210-5046
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- SQJ152ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 123A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SQJ152ELP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 6.25 mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 123A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SQJ152ELP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 6.25 mm | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8L con una corriente de drenaje
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Certificación AEC-Q101
100 % RG y prueba UIS
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