MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SQJ740EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 123 A, SO-8L, Mejora de 4 pines, 2

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 4 unidades)*

9,44 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 31 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
4 - 562,36 €9,44 €
60 - 962,173 €8,69 €
100 - 2361,938 €7,75 €
240 - 9961,893 €7,57 €
1000 +1,85 €7,40 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
280-0021
Referência do fabricante:
SQJ740EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

123A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SO-8L

Serie

SQJ740EP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

40 V

Tensión directa Vf

0V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

100 percent Rg and UIS tested, RoHS, AEC-Q101

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de automoción Vishay es de canal N doble, y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS

Calificación AEC-Q101

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

Links relacionados