MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS30ADN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 54.7 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 210-5011
- Referência do fabricante:
- SiSS30ADN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
7,52 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 6090 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,752 € | 7,52 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 210-5011
- Referência do fabricante:
- SiSS30ADN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 54.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SiSS30ADN | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 19.5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.83mm | |
| Anchura | 3.4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 54.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SiSS30ADN | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19.5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.83mm | ||
Anchura 3.4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay de canal N de 80 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S con una corriente de drenaje de 54,7 A.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja
Ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo
100 % RG y prueba UIS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 54.7 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SiSS61DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 111.9 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS30LDN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 55.5 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS26LDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 81.2 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS126DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 45.1 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISHA10DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS862ADN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 52 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS52DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 162 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines