MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS30DN-T1-BE3, VDSS 80 V, ID 54.7 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 736-352
- Referência do fabricante:
- SISS30DN-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
Subtotal (1 fita de 1 unidade)*
1,19 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 06 de julho de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 + | 1,19 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 736-352
- Referência do fabricante:
- SISS30DN-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 54.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8S | |
| Serie | SISS30DN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00825Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 54.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8S | ||
Serie SISS30DN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00825Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 3.3mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para aplicaciones eficientes de rectificación síncrona y conversión de potencia. Ofrece una excelente estabilidad de rendimiento en entornos exigentes.
La tecnología TrenchFET Gen IV mejora la eficiencia eléctrica
La resistencia de conexión muy baja minimiza las pérdidas de energía durante el funcionamiento
Links relacionados
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS52DN-T1-BE3, VDSS 30 V, ID 162 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS26DN-T1-BE3, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS64DN-T1-BE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS126DN-T1-UE3, VDSS 80 V, ID 54.7 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS30ADN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 54.7 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS26DN-T1-UE3, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS64DN-T1-UE3, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS586DN-T1-UE3, VDSS 80 V, ID 70.6 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines