MOSFET, N-Canal Vishay SISS30DN-T1-BE3, VDSS 80 V, ID 54.7 A, Mejora, PowerPAK 1212-8S de 8 pines
- Código RS:
- 736-352
- Referência do fabricante:
- SISS30DN-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 736-352
- Referência do fabricante:
- SISS30DN-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 54.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SISS30DN | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212-8S | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00825Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 57W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 54.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SISS30DN | ||
Encapsulado PowerPAK 1212-8S | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00825Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 57W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para aplicaciones eficientes de rectificación síncrona y conversión de potencia. Ofrece una excelente estabilidad de rendimiento en entornos exigentes.
La tecnología TrenchFET Gen IV mejora la eficiencia eléctrica
La resistencia de conexión muy baja minimiza las pérdidas de energía durante el funcionamiento
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