MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB17N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 15 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

11,76 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 735 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 +2,352 €11,76 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
210-4972
Referência do fabricante:
SIHB17N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-263

Serie

E

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

250mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.65 mm

Longitud

14.61mm

Altura

4.06mm

Estándar de automoción

No

El Vishay serie E Power MOSFET tiene un tipo de encapsulado D2PAK (TO-263) con corriente de drenaje de 15 A.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

Links relacionados