MOSFET, N-Canal Vishay SIHB21N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 17.4 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
210-4977
Referência do fabricante:
SIHB21N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

17.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

E

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

205mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

179W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

9.65mm

Longitud

14.61mm

Altura

4.06mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Vishay serie E Power MOSFET tiene un tipo de encapsulado D2PAK (TO-263) con corriente de drenaje de 17,4 A.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Baja capacitancia efectiva (Co(er))

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Valor nominal de energía de avalancha (UIS)

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