MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal onsemi FCB125N65S3, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 205-2470
- Referência do fabricante:
- FCB125N65S3
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
32,94 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Stock limitado
- Mais 715 unidade(s) para enviar a partir do dia 25 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 6,588 € | 32,94 € |
| 50 - 95 | 5,676 € | 28,38 € |
| 100 + | 4,924 € | 24,62 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 205-2470
- Referência do fabricante:
- FCB125N65S3
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 125mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 46nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 181W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 14.6mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SUPERFET III | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 125mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 46nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 181W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 14.6mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N de la serie SUPERFET III de on Semiconductor es una familia de MOSFET de súper unión (SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer una resistencia de conexión baja excepcional y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta Advanced Technology está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporciona un rendimiento de conmutación superior y resiste una velocidad dv/dt extrema.
La corriente nominal de drenaje continuo es 24A
El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es 125mohm
Carga de puerta ultrabaja
Baja energía almacenada en capacitancia de salida
100 % a prueba de avalancha
El tipo de encapsulado es D2-PAK
Links relacionados
- MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVB150N65S3F, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 36 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 44 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 20 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
