MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVB150N65S3F, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 195-2518
- Referência do fabricante:
- NVB150N65S3F
- Fabricante:
- onsemi
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 150mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 192W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Altura | 4.58mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 192W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Altura 4.58mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
SUPERFET III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de superempalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, el MOSFET SUPERFET III es muy adecuado para los diversos sistemas de alimentación para miniaturización y mayor eficiencia.el rendimiento de recuperación inversa optimizado del MOSFET SUPERFET III FRFET® del diodo de cuerpo puede eliminar componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema.
701 V A TJ = 150 °C.
Típ. RDS(on) = 114 m.
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 33 nC)
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 345 pF)
Estos dispositivos no contienen plomo
Aplicaciones
Cargador De A Bordo De Automoción
Convertidor dc/dc de automoción para HEV
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