MOSFET STMicroelectronics, N-Canal SCTH60N120G2-7, VDSS 1.2 kV, ID 60 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines
- Código RS:
- 233-0471
- Referência do fabricante:
- SCTH60N120G2-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 233-0471
- Referência do fabricante:
- SCTH60N120G2-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 1.2 kV | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 60 A | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.052 Ω | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 60 A | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.052 Ω | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode.
Extremely low gate charge and input capacitance
Source sensing pin for increased efficiency
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