Referência do fabricante

STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT018H65G3-7, VDSS 650 V, ID 55 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines

Código RS:: 671-932
Referência do fabricante:: SCT018H65G3-7
Fabricante:: STMicroelectronics

STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT018H65G3-7, VDSS 650 V, ID 55 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines

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Código RS:: 671-932
Referência do fabricante:: SCT018H65G3-7
Fabricante:: STMicroelectronics

Especificações

Legislação e Conformidade

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	STMicroelectronics
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	55A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	H2PAK-7
	Serie	STPOWER Gen3 SiC MOSFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	20mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	79.4nC
	Disipación de potencia máxima Pd	385W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	4.8mm
	Longitud	15.25mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

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	Marca STMicroelectronics
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 55A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado H2PAK-7
	Serie STPOWER Gen3 SiC MOSFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79.4nC
	Disipación de potencia máxima Pd 385W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 4.8mm
	Longitud 15.25mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN