STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT018H65G3-7, VDSS 650 V, ID 55 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines
- Código RS:
- 671-932
- Referência do fabricante:
- SCT018H65G3-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 671-932
- Referência do fabricante:
- SCT018H65G3-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Legislação e Conformidade
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | STPOWER Gen3 SiC MOSFET | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 385W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 79.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15.25mm | |
| Altura | 4.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie STPOWER Gen3 SiC MOSFET | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 385W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 79.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15.25mm | ||
Altura 4.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN