MOSFET Vishay, N-Canal SiZF906BDT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 257 A, PowerPAIR 6 x 5F, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

A imagem representada pode não ser a do produto

Obtenha um desconto por quantidade

Adicione mais 50 para poupar 15%

Ver preços por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

14,32 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 5310 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
Poupança
5 - 452,864 €14,32 €-
50 - 1202,434 €12,17 €15%
125 - 2452,29 €11,45 €20%
250 - 4952,15 €10,75 €24%
500 +2,006 €10,03 €29%

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
228-2941
Referência do fabricante:
SiZF906BDT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

257A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAIR 6 x 5F

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0021Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N doble de 30 V (D-S) Vishay.

100 % Rg y UIS probados

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.