MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 92.5 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 200-6855
- Referência do fabricante:
- SiSS22LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
28,80 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 24 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 1,152 € | 28,80 € |
| 125 - 225 | 0,922 € | 23,05 € |
| 250 - 600 | 0,806 € | 20,15 € |
| 625 - 1225 | 0,691 € | 17,28 € |
| 1250 + | 0,656 € | 16,40 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 200-6855
- Referência do fabricante:
- SiSS22LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 92.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65.7W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 3.3mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 92.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65.7W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 3.3mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay SiSS22LDN-T1-GE3 es un MOSFET de canal N 60V (D-S).
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
Figura de mérito (FOM) RDS - Qg muy baja
Ajustado para ofrecer la FOM RDS - Qoss más baja
100 % Rg y prueba UIS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS22LDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 92.5 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 65 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 23 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 127.5 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 45 V, ID 108 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 63 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
