MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
165-7077
Referência do fabricante:
SISA10DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

39W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Tensión directa Vf

0.8V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.4 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.12mm

Longitud

3.4mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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