MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 10 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 188-8285
- Referência do fabricante:
- STD11N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
2 095,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 03 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,838 € | 2 095,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 188-8285
- Referência do fabricante:
- STD11N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 420mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.5nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.2 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.17mm | |
| Longitud | 6.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 420mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.5nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.2 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.17mm | ||
Longitud 6.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
This high voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
Fast-recovery body diode
Extremely low gate charge and input capacitance
Low on-resistance
Extremely high dv/dt ruggedness
Zener-protected
Applications
Switching applications
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD11N60DM2, VDSS 650 V, ID 10 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 7 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 5.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 4.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 10 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD86N3LH5, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-252 de 3 pines