MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 6.4 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 200-6821
- Referência do fabricante:
- SIHP690N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 200-6821
- Referência do fabricante:
- SIHP690N60E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 700mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie E | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 700mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie E de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 650 V, corriente de drenaje continua máxima de 6,4 A - SIHP690N60E-GE3
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y gestión de potencia en electrónica industrial. Se suministra en un encapsulado TO-220AB de orificio pasante adecuado para disipación térmica, y está diseñado para ingenieros que trabajan en circuitos de control, conversión y protección donde se requiere una resistencia a la tensión robusta y un montaje sencillo.
Características y ventajas:
• 650 V Vds para capacidad de conmutación de alta tensión • Corriente de drenaje continua de 6,4 A que permite un manejo moderado de la carga • Rds(on) de 700 mΩ para pérdidas de conducción predecibles • Carga de puerta típica de 12 nC para una energía de conmutación gestionable • Disipación de potencia de 62,5 W para admitir el diseño térmico • Temperatura de unión máxima de 150 °C para funcionamiento a temperaturas elevadas
Aplicaciones
• Apto para fuentes de alimentación de modo conmutado de alta tensión • Ideal para circuitos de etapa de puerta de accionamiento de motor • Se utiliza para conmutación de protección de inversor industrial • Se puede utilizar para etapas de corrección de factor de potencia • Apto para circuitos de controlador de contactor y relé de alta tensión
¿Cuál es el rango de tensión de puerta recomendado para accionar este dispositivo?
El dispositivo acepta tensiones de puerta de hasta 30 V, por lo que los controladores de puerta deben elegirse para permanecer dentro de ese límite y proporcionar un accionamiento adecuado para la carga de puerta especificada.
¿Cómo debe abordarse la gestión térmica al montar?
Utilice un disipador térmico compatible en la pestaña TO-220AB y asegúrese de un flujo de aire suficiente
cuenta para el valor nominal de disipación de 62,5 W al calcular el aumento de temperatura.
¿Qué condiciones ambientales son aceptables para el funcionamiento?
El componente está especificado para funcionar hasta -55 °C, mientras que el valor nominal máximo de unión es de 150 °C, por lo que los diseños deben gestionar la resistencia térmica de unión a ambiente para permanecer dentro de estos límites.
¿Hay consideraciones para las pérdidas de conmutación a alta tensión?
Con una carga de puerta de 12 nC y Rds(on) de 700 mΩ, los diseñadores deben equilibrar la velocidad de accionamiento de puerta contra la pérdida de conmutación, especialmente en aplicaciones que conmutan con frecuencia a Vds altos.
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