MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SiHP105N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 29 A, Mejora, JEDEC TO-220AB de 3 pines
- Código RS:
- 200-6795
- Referência do fabricante:
- SiHP105N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 200-6795
- Referência do fabricante:
- SiHP105N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 29A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 88mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 53nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 208W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.65mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 10.52mm | |
| Altura | 14.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 29A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 88mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 53nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 208W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.65mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 10.52mm | ||
Altura 14.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 650 V, corriente de drenaje continua de 29 A - SiHP105N60EF-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo de conmutación de alta tensión diseñado para funciones exigentes de conversión de potencia y control en sistemas industriales y electrónicos. Se trata de un transistor de modo de mejora de canal N suministrado en un encapsulado TO-220AB de orificio pasante, diseñado para manejar tensiones elevadas y corrientes sostenidas al tiempo que funciona en un amplio rango de temperaturas.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 650 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La capacidad de drenaje continuo de 29 A admite corrientes de carga sustanciales
• La disipación máxima de 208 W permite un manejo de alta potencia
• La Rds(on) de 88 mΩ minimiza las pérdidas por conducción en condiciones nominales
• La carga de puerta típica de 53 nC optimiza los requisitos de energía de conmutación y accionamiento
• La tolerancia de puerta de 30 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• La capacidad de drenaje continuo de 29 A admite corrientes de carga sustanciales
• La disipación máxima de 208 W permite un manejo de alta potencia
• La Rds(on) de 88 mΩ minimiza las pérdidas por conducción en condiciones nominales
• La carga de puerta típica de 53 nC optimiza los requisitos de energía de conmutación y accionamiento
• La tolerancia de puerta de 30 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
Aplicaciones
• Adecuado para etapas de conmutación del lado primario de SMPS
• Ideal para secciones de inversor de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza para convertidores dc-dc de alta tensión en fuentes de alimentación
• Se puede utilizar para equipos de prueba de carga electrónica y potencia
• Se utiliza con topologías de interruptores discretos en la corrección del factor de potencia
• Ideal para secciones de inversor de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza para convertidores dc-dc de alta tensión en fuentes de alimentación
• Se puede utilizar para equipos de prueba de carga electrónica y potencia
• Se utiliza con topologías de interruptores discretos en la corrección del factor de potencia
¿Qué extremos térmicos puede soportar durante el funcionamiento?
El dispositivo está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso tanto en entornos de arranque en frío como en instalaciones de temperatura elevada.
¿Cómo se monta e integra en un diseño de PCB?
Utiliza un encapsulado TO-220AB de orificio pasante con tres contactos y una lengüeta de montaje para disipación térmica, lo que permite una fijación directa de la placa y una gestión térmica a través de un disipador térmico conectado a la lengüeta.
¿Qué consideraciones sobre accionamiento de puerta deben observarse?
La tensión nominal máxima de puerta a fuente es de 30 V
Las tensiones de accionamiento de puerta deben mantenerse dentro de este límite y ajustarse a la carga de puerta típica de 53 nC para garantizar una conmutación eficiente sin sobrecargar la puerta.
¿Qué característica de tensión directa es relevante durante la conducción?
La tensión directa es de 1,2 V, lo que informa los cálculos de pérdida de conducción en vías de corriente de baja tensión y evaluaciones de rendimiento de diodo de cuerpo.
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