MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STWA75N60DM6, VDSS 600 V, ID 72 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 195-2678
- Referência do fabricante:
- STWA75N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 195-2678
- Referência do fabricante:
- STWA75N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 72A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 36mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 446W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 21.1mm | |
| Anchura | 5.1mm | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 72A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 36mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 446W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 21.1mm | ||
Anchura 5.1mm | ||
Longitud 15.9mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Estos MOSFET de potencia de canal N de alta tensión forman parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmeshTM DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en el área RDS(on) * con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y convertidores de desplazamiento de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
RDS(on) inferior por área en comparación con la generación anterior
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
Robustez dv/dt muy alta
Protegido por Zener
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