MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 72 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 195-2680
- Referência do fabricante:
- STWA75N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 195-2680
- Referência do fabricante:
- STWA75N60M6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 72A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 36mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 106nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 446W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.9mm | |
| Anchura | 5.1mm | |
| Altura | 21.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 72A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 36mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 106nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 446W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.9mm | ||
Anchura 5.1mm | ||
Altura 21.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
La nueva tecnología MDmesh™ M6 incorpora los avances más recientes en la conocida y consolidada familia MDmesh de MOSFET SJ. STMicroelectronics se basa en la generación anterior de dispositivos MDmesh a través de su nueva tecnología M6, que combina una excelente mejora de RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles, así como una experiencia fácil de usar para la máxima eficiencia de aplicaciones finales.
Pérdidas de conmutación reducidas
Menor RDS(on) por área frente a la generación anterior
Resistencia de entrada de puerta baja
Protección Zener
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