MOSFET onsemi, Tipo N-Canal FDH038AN08A1, VDSS 75 V, ID 80 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 145-4368
- Referência do fabricante:
- FDH038AN08A1
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 145-4368
- Referência do fabricante:
- FDH038AN08A1
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 80A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 75V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20, -20V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 20.82mm | |
| Anchura | 4.82mm | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 80A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 75V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20, -20V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 20.82mm | ||
Anchura 4.82mm | ||
Longitud 15.87mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
MOSFET de canal N PowerTrench®, más de 60 A, Fairchild Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semi
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Los transistores MOSFET semi-ON proporcionan una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión y sobretensión reducidos, hasta una capacidad de unión y una carga de recuperación inversa más bajas, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas activos y funcionando durante más tiempo.
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