MOSFET onsemi FDH5500_F085, VDSS 55 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
864-8161
Referência do fabricante:
FDH5500_F085
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

75 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Serie

UltraFET

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

375 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

118 nC a 10 V, 206 nC a 20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Ancho

15.87mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Longitud

20.82mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

4.82mm

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor


El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.
Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.


Transistores MOSFET, ON Semi


On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.

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