MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVTFS010N10MCLTAG, VDSS 100 V, ID 57.8 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- Código RS:
- 195-2554
- Referência do fabricante:
- NVTFS010N10MCLTAG
- Fabricante:
- onsemi
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 57.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | WDFN | |
| Serie | NVTFS010N10MCL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 77.8W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.75mm | |
| Anchura | 3.15 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 57.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado WDFN | ||
Serie NVTFS010N10MCL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 77.8W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.75mm | ||
Anchura 3.15 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 3 x 3 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.
Tamaño pequeño (3x3 mm)
Diseño compacto
Baja resistencia
Minimiza las pérdidas de conducción
Baja capacitancia
Minimiza las pérdidas de controlador
Capacidad PPAP
Adecuada para aplicaciones de automoción
Aplicación
Protección de batería inversa
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
Fuentes de alimentación de conmutación
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