MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 29 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- Código RS:
- 171-8365
- Referência do fabricante:
- NTTFS4C02NTAG
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 171-8365
- Referência do fabricante:
- NTTFS4C02NTAG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 29A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | NTTFS4C02N | |
| Encapsulado | WDFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 4.2W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.15 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.15mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 29A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie NTTFS4C02N | ||
Encapsulado WDFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 4.2W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.15 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.15mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia, 30 V, 170 A, 2,25 mOhmios, canal N simple μ8FL
Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción
Baja capacitancia para minimizar pérdidas de controlador
Carga de puerta optimizada para minimizar pérdidas de conmutación
Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos/sin BFR
Aplicaciones
Convertidores dcdc
Interruptor de carga de potencia
Gestión de batería de portátil
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTTFS4C02NTAG, VDSS 30 V, ID 29 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 250 V, ID 14 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 200 V, ID 20 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 109 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 16 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 35 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 122 A, Mejora, WDFN de 8 pines
