MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 12 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- Código RS:
- 185-8164
- Referência do fabricante:
- NVTFS6H888NTAG
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 185-8164
- Referência do fabricante:
- NVTFS6H888NTAG
- Fabricante:
- onsemi
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | WDFN | |
| Serie | NVTFS6H888N | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 55mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 18W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.15mm | |
| Longitud | 3.15mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado WDFN | ||
Serie NVTFS6H888N | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 55mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 18W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.15mm | ||
Longitud 3.15mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não conforme
- COO (País de Origem):
- MY
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