MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 68 A, Mejora, WDFN de 8 pines

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Código RS:
178-4317
Referência do fabricante:
NTTFS6H850NTAG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

68A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

NTTFS6H850N

Encapsulado

WDFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

107W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.6nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

3.15mm

Anchura

3.15 mm

Altura

0.75mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY
MOSFET de potencia comercial en un encapsulado de cable plano de 3 x 3 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico.

Características

Baja resistencia

Carga de puerta baja

Tamaño pequeño (3x3 mm)

Ventajas

Minimiza las pérdidas de conducción

Minimiza las pérdidas de conmutación

Diseño compacto

Aplicaciones

Protección de batería inversa

Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).

Rectificación síncrona

Productos finales

Control de motor

Gestión de baterías

Fuentes de alimentación de conmutación

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