MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTB095N65S3HF, VDSS 650 V, ID 36 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 189-0381
- Referência do fabricante:
- NTB095N65S3HF
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
13,01 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 05 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,505 € | 13,01 € |
| 20 - 198 | 5,61 € | 11,22 € |
| 200 + | 4,86 € | 9,72 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 189-0381
- Referência do fabricante:
- NTB095N65S3HF
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 36A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 95mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 272W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 66nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 4.58mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 36A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 95mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 272W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 66nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 4.58mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
SUPERFET III MOSFET es la nueva familia MOSFET on Semiconductor de alta tensión (SJ) que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer un rendimiento de carga bajo y bajo en resistencia excepcional y un rendimiento de carga de puerta más bajo. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SUPERFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para la miniaturización y una mayor eficiencia. SUPERFET III FRFET MOSFET optimizado rendimiento de recuperación inversa del diodo del cuerpo puede eliminar componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema.
700 V a TJ = 150 °C
Carga de puerta ultra baja (Typ. QG = 66 nC)
Capacitancia de salida efectiva baja (Typ. COSS(eff.) = 569 pF)
Excelente rendimiento de diodo de cuerpo (bajo Qrr, diodo de cuerpo sólido)
Capacitancia optimizada
Typ. RDS(on) = 80 mΩ Mayor fiabilidad del sistema en funcionamiento a baja temperatura
Menor pérdida de conmutación
Mayor fiabilidad del sistema en circuito de puente completo de desplazamiento de fase y LLC
Vds de pico inferior y menor oscilación Vgs
Aplicaciones
Telecomunicaciones
Sistema en la nube
Industriales
Productos finales
Alimentación de telecomunicaciones
Alimentación de servidores
Cargador EV
Solar / SAI
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 36 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 20 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 44 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 24 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 14 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTB110N65S3HF, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines