MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSHA12ADN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 25 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 188-4936
- Referência do fabricante:
- SiSHA12ADN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
20,825 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 13 de outubro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,833 € | 20,83 € |
| 125 - 225 | 0,791 € | 19,78 € |
| 250 - 600 | 0,708 € | 17,70 € |
| 625 - 1225 | 0,508 € | 12,70 € |
| 1250 + | 0,399 € | 9,98 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 188-4936
- Referência do fabricante:
- SiSHA12ADN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | SiSHA12ADN | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 28W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.93mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie SiSHA12ADN | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 28W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.93mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET N-Channel 30 V (D-S).
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 25 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS73DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 16.2 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SiSS61DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 111.9 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSH892BDN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 20 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS54DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 185.6 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSS22LDN-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 92.5 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS468DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SiSS63DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 127.5 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines