MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 800 V, ID 17.4 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*

75,75 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 25 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
30 +2,525 €75,75 €

*preço indicativo

Código RS:
188-4880
Referência do fabricante:
SIHW21N80AE-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

17.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-247

Serie

SiHW21N80AE

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

235mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48nC

Disipación de potencia máxima Pd

32W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

21.46mm

Longitud

16.26mm

Estándar de automoción

No

E Serie Power MOSFET.

Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja

Capacitancia efectiva baja (Co(er))

Menores pérdidas por conmutación y conducción

APLICACIONES

Fuentes de alimentación de servidores y equipos de telecomunicaciones

Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)

Fuentes de alimentación con corrección de factor de potencia (PFC)

Links relacionados