MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDPF2D3N10C, VDSS 100 V, ID 222 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 181-1911
- Referência do fabricante:
- FDPF2D3N10C
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
4,75 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 158 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 + | 2,375 € | 4,75 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 181-1911
- Referência do fabricante:
- FDPF2D3N10C
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 222A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | FDPF | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 108nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 45W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Altura | 16.07mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 222A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie FDPF | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 108nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 45W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.36mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.9 mm | ||
Altura 16.07mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Max RDS(on) = 2.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 222 A
Power Density & Shielded Gate
High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)
High power density with Shielded gate technology
Extremely Low Reverse Recovery Charge, Qrr
Low Vds spike internal snubber function.
Low Gate Charge, QG = 108nC (Typ.)
Low switching loss
High Power and Current Handling Capability
Low Qrr/Trr
Soft recovery performance
Synchronous Rectification for ATX / Server / Workstation / Telecom PSU / Adapter and Industrial Power Supplies.
Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
Micro Solar Inverter
Server
Telecom
Computing (ATX, Workstation, Adapter, Industrial Power Supplies etc.)
Motor Drive
Uninterruptible Power Supplies
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 222 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDP2D3N10C, VDSS 100 V, ID 222 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 12 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 40 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 101 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 20 A, Mejora, TO-220 de 3 pines