MOSFET, Tipo N-Canal onsemi FDP2D3N10C, VDSS 100 V, ID 222 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 181-1899
- Referência do fabricante:
- FDP2D3N10C
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 181-1899
- Referência do fabricante:
- FDP2D3N10C
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 222A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | FDP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 214W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 108nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.67 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 15.21mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 222A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie FDP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 214W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 108nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.67 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 15.21mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Max RDS(on) = 2.3 mΩ at VGS = 10 V, ID = 222 A
Power Density & Shielded Gate
High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)
High power density with Shielded gate technology
Extremely Low Reverse Recovery Charge, Qrr
Low Vds spike internal snubber function.
Low Gate Charge, QG = 108nC (Typ.)
Low switching loss
High Power and Current Handling Capability
Low Qrr/Trr
Soft recovery performance
Good EMI performance
Synchronous Rectification for ATX / Server / Workstation / Telecom PSU / Adapter and Industrial Power Supplies.
Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
Micro Solar Inverter
Server
Telecom
Computing (ATX, Workstation, Adapter, Industrial Power Supplies etc.)
Motor Drive
Uninterruptible Power Supplies
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