MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 128 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 181-1859
- Referência do fabricante:
- FDP4D5N10C
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 181-1859
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- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 128A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | FDP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 48nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.67 mm | |
| Altura | 15.21mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 128A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie FDP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.67 mm | ||
Altura 15.21mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
This N-Channel MV MOSFET is produced using ON Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimize on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Max RDS(on) = 4.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 128 A
Power Density & Shielded Gate Power Density & Shielded Gate High efficiency / High performance
High Performance Trench Technology for Extremely Low RDS(on)
High power density with Shielded gate technology
Extremely Low Reverse Recovery Charge, Qrr
Low Vds spike internal snubber function.
Low Gate Charge, QG = 48nC (Typ.)
Low switching loss
High Power and Current Handling Capability
Low Qrr/Trr
Soft recovery performance
Synchronous Rectification for ATX / Server / Workstation / Telecom PSU / Adapter and Industrial Power Supplies.
Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
Micro Solar Inverter
Server
Telecom
Computing (ATX, Workstation, Adapter, Industrial Power Supplies etc.)
Motor Drive
Uninterruptible Power Supplies
Solar Inverter
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