MOSFET Vishay, N-Canal IRLZ44PBF, VDSS 60 V, ID 50 A, JEDEC TO-220AB, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8743
- Referência do fabricante:
- IRLZ44PBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8743
- Referência do fabricante:
- IRLZ44PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 60 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 50 A | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Estándar de automoción | No | |
| Altura | 6.48 mm | |
| Longitud | 14.4 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.028 Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 150 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs | 66 nC | |
| Anchura | 10.52 mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 60 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 50 A | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Estándar de automoción No | ||
Altura 6.48 mm | ||
Longitud 14.4 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.028 Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 150 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 66 nC | ||
Anchura 10.52 mm | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Vishay MOSFET
The Vishay MOSFET is an N-channel, TO-220AB-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 60V and maximum gate-source voltage of 10V. It has a drain-source resistance of 28mohm at a gate-source voltage of 5V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 150W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.
Features and Benefits
• Dynamic dV/dt rating
• Ease of paralleling
• Fast switching
• Lead (Pb) free component
• Logic-level gate drive
• Operating temperature ranges between -55°C and 175°C
• RDS (on) specified at VGS = 4V and 5V
• Simple drive requirements
Applications
• Battery chargers
• Inverters
• Power supplies
• Switching mode power supply (SMPS)
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