MOSFET Vishay, Tipo N-Canal IRLZ44PBF, VDSS 60 V, ID 50 A, JEDEC TO-220AB, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8367
- Referência do fabricante:
- IRLZ44PBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8367
- Referência do fabricante:
- IRLZ44PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | JEDEC TO-220AB | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.028Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 66nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Anchura | 10.52mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC | |
| Longitud | 14.4mm | |
| Altura | 6.48mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado JEDEC TO-220AB | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.028Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 66nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Anchura 10.52mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC | ||
Longitud 14.4mm | ||
Altura 6.48mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de Vishay es un encapsulado de canal N TO-220AB-3 que es un producto de la nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60 V y una tensión de fuente de puerta máxima de 10 V. Tiene una resistencia de drenaje-fuente de 28 mohm a una tensión de fuente de puerta de 5 V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 150 W. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conmutación y conducción. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una vida útil larga y productiva sin comprometer el rendimiento o la funcionalidad.
Características y ventajas
• Valor nominal dV/dt dinámico
• Facilidad de paralelismo
• Conmutación rápida
• Componente sin plomo (Pb)
• Unidad de puerta de nivel lógico
• Rangos de temperatura de funcionamiento entre -55 °C y 175 °C
• RDS (on) especificado en VGS = 4 V y 5 V
• Requisitos de accionamiento sencillos
Aplicaciones
• Cargadores de batería
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Fuente de alimentación de modo conmutado (SMPS)
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