MOSFET de potencia Vishay, N-Canal IRF830ALPBF, VDSS 500 V, ID 5 A, TO-262 de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8670
- Referência do fabricante:
- IRF830ALPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8670
- Referência do fabricante:
- IRF830ALPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-262 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 74W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Longitud | 9.65mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-262 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 74W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Longitud 9.65mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia de Vishay, tensión de fuente-drenaje de 500 V, corriente de drenaje continua de 5 A - IRF830ALPBF
Este MOSFET de potencia es un transistor de canal N simple diseñado para tareas de conmutación de alta tensión y conversión de potencia en sistemas electrónicos. Encapsulado en un formato TO-262, sirve como elemento de conmutación compacto para circuitos que requieren una capacidad de tensión de drenaje a fuente elevada y un manejo moderado de corriente continua en contextos industriales y comerciales.
Características y ventajas:
• La capacidad nominal de drenaje a fuente de 500 V permite aplicaciones de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 5 A permite un suministro de potencia constante
• La Rds(on) de 1,4 Ω reduce las pérdidas por conducción en diseños de baja corriente
• La carga total de puerta de 24 nC permite transiciones de puerta más rápidas
• La tolerancia de puerta de ±30 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• La capacidad de disipación de potencia de 74 W ayuda al espacio térmico bajo carga
• La corriente de drenaje continua de 5 A permite un suministro de potencia constante
• La Rds(on) de 1,4 Ω reduce las pérdidas por conducción en diseños de baja corriente
• La carga total de puerta de 24 nC permite transiciones de puerta más rápidas
• La tolerancia de puerta de ±30 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• La capacidad de disipación de potencia de 74 W ayuda al espacio térmico bajo carga
Aplicaciones
• Adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado fuera de línea
• Ideal para frontales de accionamiento de motor de alta tensión
• Se utiliza con convertidores de impulsos que requieren una conmutación rápida
• Puede utilizarse para el control de lámparas y calentadores industriales
• Adecuado para el acondicionamiento de potencia y fuentes auxiliares
• Ideal para frontales de accionamiento de motor de alta tensión
• Se utiliza con convertidores de impulsos que requieren una conmutación rápida
• Puede utilizarse para el control de lámparas y calentadores industriales
• Adecuado para el acondicionamiento de potencia y fuentes auxiliares
¿Qué extremos térmicos puede soportar el dispositivo en funcionamiento?
Está especificado para funcionar en un rango de -55 °C a 150 °C, y admite arranques a baja temperatura y temperaturas de unión elevadas bajo carga.
¿Cuántos elementos de transistor discretos están presentes en el chip?
El semiconductor contiene un solo elemento por chip, lo que proporciona un canal de conmutación aislado para diseños de circuitos.
¿Qué estándares ambientales y materiales se reflejan en su fabricación?
El componente cumple las normas RoHS 2002/95/EC e IEC 61249-2-21 sobre materiales y sustancias.
¿Cuál es la tensión directa típica en eventos de conducción de diodos?
El diodo de cuerpo intrínseco presenta una tensión directa de alrededor de 1,5 V durante la conducción.
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