MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 500 V, ID 2.5 A, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8659
- Referência do fabricante:
- IRF820ASPBF
- Fabricante:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 125 - 245 | 1,532 € | 7,66 € |
| 250 - 495 | 1,444 € | 7,22 € |
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*preço indicativo
- Código RS:
- 180-8659
- Referência do fabricante:
- IRF820ASPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Longitud | 2.79mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Anchura | 10.67 mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Longitud 2.79mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Anchura 10.67 mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El IRF820AS de Vishay es un MOSFET de potencia de canal N con una tensión de drenaje a fuente (Vds) de 500 V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 30 V. Dispone de encapsulado D2PAK (TO-263) e I2PAK (TO-262). Ofrece una resistencia de drenaje a fuente (RDS) de 3 ohmios a 10 VGS. Corriente de drenaje máxima de 17 A.
La carga Qg de puerta baja resulta en un requisito de accionamiento sencillo
Mejora de la resistencia de la puerta, la avalancha y la dinámica dV/dt
Capacitancia y tensión de avalancha y corriente completamente caracterizadas
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