MOSFET Vishay IRFS11N50APBF

El MOSFET Vishay es un encapsulado TO-263-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 500V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 30V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 520mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 170W mW. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Se especifica un coss efectivo
• Capacidad completamente caracterizada y tensión y corriente de avalancha
• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• Puerta mejorada, avalancha y dv/dt dinámico
• La carga de compuerta baja QG da como resultado un simple requisito de accionamiento
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• Conmutación de potencia de alta velocidad
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
• Fuentes de alimentación ininterrumpida