MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 500 V, ID 3.1 A, TO-220FP, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8668
- Referência do fabricante:
- IRFI830GPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8668
- Referência do fabricante:
- IRFI830GPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | TO-220FP | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 35W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 38nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado TO-220FP | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 35W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 38nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El Vishay IRFI830G es un MOSFET de potencia de canal N que tiene una tensión de drenador a fuente (VDS) de 500V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 20V V. Tiene que tener un encapsulado TO-220 FULLPAK. Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 1,5ohms a 10VGS.
Encapsulado aislado
Aislamiento de alta tensión = 2,5 kVrms (t = 60 s; f = 60 Hz)
Distancia de separación entre contactos de disipador a cable = 4,8 mm
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