MOSFET de potencia Vishay, N-Canal IRFR210PBF, VDSS 200 V, ID 2.6 A de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
180-8342
Referência do fabricante:
IRFR210PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Tipo de montaje

Superficie, Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5Ω

Tensión directa Vf

2V

Disipación de potencia máxima Pd

25W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.2nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Anchura

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.22mm

Altura

2.38mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El IRFR210 de Vishay es un MOSFET de potencia de canal N con una tensión de drenaje a fuente (Vds) de 200 V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 20 V. Dispone de encapsulado DPAK (TO-252) e IPAK (TO-251). Ofrece una resistencia de drenaje a fuente (RDS) de 1,5 ohmios a 10 VGS.

Valor nominal dV/dt dinámico

Valor nominal de avalancha repetitiva

Montaje superficial

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