MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal IRF620SPBF, VDSS 200 V, ID 5.2 A, TO-263, 1, config. Simple

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Código RS:
180-8301
Referência do fabricante:
IRF620SPBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.8Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Certificaciones y estándares

RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El Vishay IRF620S es un MOSFET de potencia de canal N que tiene una tensión de drenador a fuente (VDS) de 200V V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 20V V. Tiene un encapsulado D2PAK (TO-263). Ofrece resistencia de drenaje a fuente (RDS) 0,8ohms a 10VGS. Corriente de drenaje máxima: 5,2A A.

Montaje superficial

Disponibles en cinta y carrete

Valor nominal dv/dt dinámico

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