MOSFET de potencia Vishay, N-Canal IRFBC20SPBF, VDSS 600 V, ID 2.2 A de 3 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
180-8314
Referência do fabricante:
IRFBC20SPBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Tipo de montaje

Orificio pasante, Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.4Ω

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

3.1W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El IRFBC20S de Vishay es un MOSFET de potencia de canal N con una tensión de drenaje a fuente (Vds) de 600 V. La tensión de puerta a fuente (VGS) es de 20 V. Dispone de encapsulado I2PAK (TO-262) y D2PAK (TO-263). Ofrece una resistencia de drenaje a fuente (RDS) de 4,4 ohmios a 10 VGS. Corriente de drenaje máxima de 2,2 A.

Montaje superficial

Valor nominal dV/dt dinámico

Temperatura de funcionamiento de 150 °C

Conmutación rápida

Valor nominal de avalancha total

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