MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ2362ES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 4.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
180-8108
Referência do fabricante:
SQ2362ES-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-23

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

75mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

3W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.12mm

Anchura

2.64 mm

Longitud

3.04mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 95mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 3W mW y una corriente de drenaje continua de 4,3A A. Tiene una tensión de accionamiento de 10V V. Se utiliza en aplicaciones de automoción. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

Certificaciones


• AEC-Q101

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg probado

• UIS probado

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