MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQ2325CES-T1_GE3, VDSS -150 V, ID -0.84 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 735-220
- Referência do fabricante:
- SQ2325CES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
0,32 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 2130 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,32 € |
| 25 - 99 | 0,22 € |
| 100 + | 0,12 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 735-220
- Referência do fabricante:
- SQ2325CES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -0.84A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -150V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.4Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.12mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Anchura | 2.64mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -0.84A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -150V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.4Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.12mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Anchura 2.64mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- DE
Links relacionados
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SQ2303CES-T1_GE3, VDSS -30 V, ID -2.5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ2309CES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 1.7 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ2389ES-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 4.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo P-Canal Vishay SQ2361ES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQ2351CES-T1_GE3, VDSS -20 V, ID -3.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQ2389CES-T1_GE3, VDSS -40 V, ID -4.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQ2361CES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID -2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQ2361CEES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID -2.8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines