MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ2318AES-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 180-8032
- Referência do fabricante:
- SQ2318AES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Desconhecemos se este artigo será reposto, pois está a ser descontinuado pelo fabricante.
- Código RS:
- 180-8032
- Referência do fabricante:
- SQ2318AES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 36mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 2.64 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 36mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 2.64 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de canal N de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 40V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 31mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 3W mW y una corriente de drenaje continua de 8A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este MOSFET es de 4,5V V y 10V V respectivamente. Tiene aplicación en interruptores de carga para dispositivos portátiles. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Certificaciones
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado
• UIS probado
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ2389ES-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 4.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ2318BES-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQ3419CEV-T1_GE3, VDSS -40 V, ID 6.9 A, Mejora, SOT-23 de 6 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay SQ2389CES-T1_GE3, VDSS -40 V, ID -4.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ2309CES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 1.7 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ2348CES-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ2315ES-T1_GE3, VDSS 12 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines