MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ2309CES-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 1.7 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 280-0008
- Referência do fabricante:
- SQ2309CES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 280-0008
- Referência do fabricante:
- SQ2309CES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | SQ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.704Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Tensión directa Vf | -0.85V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie SQ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.704Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Tensión directa Vf -0.85V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 3.04mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de automoción Vishay es de canal P, y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
Calificación AEC-Q101
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
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