MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQ2315ES-T1_GE3, VDSS 12 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
819-3901
Referência do fabricante:
SQ2315ES-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

12V

Encapsulado

SOT-23

Serie

SQ Rugged

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

92mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.02mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.04mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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