Vishay IGBT, SI7489DP-T1-E3, Tipo P-Canal, PowerPAK SO-8, 8 pines Superficie
- Código RS:
- 180-7802
- Referência do fabricante:
- SI7489DP-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-7802
- Referência do fabricante:
- SI7489DP-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | IGBT | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Número de pines | 8 | |
| Tensión máxima del emisor de puerta VGEO | 50 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.12mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21 | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Energía nominal | 61mJ | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto IGBT | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Número de pines 8 | ||
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO 50 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.12mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21 | ||
Longitud 6.25mm | ||
Energía nominal 61mJ | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET SO-8 de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 100V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 41mohms a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 83W mW y una corriente de drenaje continua de 28A A. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4,5V V y 10V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Nuevo encapsulado POWERPAK de baja resistencia térmica con perfil bajo de 1,07mm mm
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• PWM optimizado
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• accionamientos de motor de medio puente
• Convertidores reductores no síncronos de alta tensión
• Interruptores de carga
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
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