MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 5.3 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 180-7298
- Referência do fabricante:
- SI4900DY-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
915,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 5000 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,366 € | 915,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 180-7298
- Referência do fabricante:
- SI4900DY-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.058Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.1W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.35mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21 | |
| Anchura | 4 mm | |
| Longitud | 4.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.058Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.1W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.35mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21 | ||
Anchura 4 mm | ||
Longitud 4.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N doble TrenchFET serie SI4900DY de Vishay Siliconix tiene una tensión de drenador a fuente de 60 V. Se utiliza en TV LCD e inversor CCFL.
Sin plomo
Libre de halógenos
Links relacionados
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SI4900DY-T1-E3, VDSS 60 V, ID 5.3 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 5.3 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SI4559ADY-T1-E3, VDSS 60 V, ID 5.3 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 6.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 9.5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI7850DP-T1-E3, VDSS 60 V, ID 6.2 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI4896DY-T1-E3, VDSS 80 V, ID 9.5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 6.5 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble